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[主观题]

半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

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更多“半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。”相关的问题

第1题

自然界中的物体,根据导电性能的不同分为导体、半导体、绝缘体。光伏电池材料属于导体。()
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第2题

太阳能光伏发电技术是利用()(或光伏效应),使得太阳辐射能通过半导体物质直接转变为电能的一种技术。

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第3题

目前常用的太阳能光伏电池有:()、多晶硅电池、非晶硅电池、非硅材料光伏电池、有机光伏电池等等。

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第4题

Ga-As-P半导体发光二极管的禁带宽度是1.9eV,它能发出的光的最大波长是多少?

Ga-As-P半导体发光二极管的禁带宽度是1.9eV,它能发出的光的最大波长是多少?

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第5题

主要的光伏电池材料有哪些?

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第6题

硅的禁带宽度Eg=1.1eV,当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后,产生一杂质能级,试画出这一杂质半导体的能带图?并
硅的禁带宽度Eg=1.1eV,当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后,产生一杂质能级,试画出这一杂质半导体的能带图?并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限?
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第7题

半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知GaAs材料的Eg=1.43eV,某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV,

半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知GaAs材料的Eg=1.43eV,某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV,求它们的发射波长。

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第8题

硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后,施主能级和硅的导带底的能级差为0.045eV。求此掺杂半导体能吸收的光

的最大波长。

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第9题

已知半导体发光材料的禁带宽度为1.24eV,试计算其中心辐射波长。

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