题目内容
(请给出正确答案)
[多选题]
电子真空理论中的负能空穴()。
A.带负电
B.带正电
C.质量为正,等于电子质量
D.质量为负,为电子质量的负值
答案
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A.带负电
B.带正电
C.质量为正,等于电子质量
D.质量为负,为电子质量的负值
第1题
第2题
设电子质量为me,电荷量为-e,以角速度ω绕带正电的质子作圆周运动,当加上外磁场B(B的方向与电子轨道平面垂直)时,设电子轨道半径不变,而角速度则变为ω'.证明:电子角速度的变化近似等于.
第6题
设电子和空穴的有效质量相等,硅的禁带宽度为1.12eV,电子和空穴的迁移率分别为0.135cm2/(V·s)和0.048cm2/(V·s)。
第8题
已知InSb的禁带宽度Eg=0.15eV,电子的有效质量me=0.014m0,空穴的有效质量mb=0.18m0(m0为电子的惯性质量)。若只有电子才是有效载流子,试求300K下纯InSb的霍尔系数。
如果让100mA的电流通过一宽度b为5mm,厚度d为1mm的InSb的样品,垂直方向的磁场为0.1T,将产生多大的霍尔电压?
第9题
已知一维晶格中电子的能带可写成
式中a是晶格常数,m是电子的质量,
求(1)能带宽度,
(2)电子的平均速度,
(3)在带顶和带底的电子的有效质量.