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[多选题]

电子真空理论中的负能空穴()。

A.带负电

B.带正电

C.质量为正,等于电子质量

D.质量为负,为电子质量的负值

答案
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更多“电子真空理论中的负能空穴()。A、带负电B、带正电C、质量为正,等于电子质量D、质量为负,为电子质量”相关的问题

第1题

反物质就是由反粒子组成的物质,所有的粒子都有反粒子,这些反粒子的特点是质量、寿命、自旋与其相对应的粒子相
同,但电荷、重子数、轻子数等量子数与之相反,如果制取了反氧原子,则下列说法中正确的是

[ ]

A.核内有8个带正电的质子,核外有8个带负电的电子

B.核内有8个带负电的电子,核外有8个带正电的质子

C.核内有8个带负电的中子,核外有8个带正电的质子

D.核内有8个带负电的质子,核外有8个带正电的电子

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第2题

设电子质量为me,电荷量为-e,以角速度ω绕带正电的质子作圆周运动,当加上外磁场B(B的方向与电子轨道平面垂直)

设电子质量为me,电荷量为-e,以角速度ω绕带正电的质子作圆周运动,当加上外磁场B(B的方向与电子轨道平面垂直)时,设电子轨道半径不变,而角速度则变为ω'.证明:电子角速度的变化近似等于.

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第3题

丝绸摩擦过的玻璃棒,()电。

A.失去电子带正

B.失去电子带负

C.得到电子带正

D.得到电子带负

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第4题

电子衍射实验说明:

A.电子能量是量子化的;

B.电子是带负电的微粒;

C.电子具有波动性;

D.电子具有一定质量。

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第5题

在N型半导体中,多数载流子为电子,N型半导体()A. 带正电B. 带负电C. 不带电
在N型半导体中,多数载流子为电子,N型半导体()

A. 带正电

B. 带负电

C. 不带电

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第6题

试求出在室温下本征硅的塞贝克系数。 设电子和空穴的有效质量相等,硅的禁带宽度为1.12eV,电子和空穴的迁移
试求出在室温下本征硅的塞贝克系数。

设电子和空穴的有效质量相等,硅的禁带宽度为1.12eV,电子和空穴的迁移率分别为0.135cm2/(V·s)和0.048cm2/(V·s)。

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第7题

硅晶体掺入磷原子后变成什么型的半导体?这种半导体是电子多了,还是空穴多了?这种半导体是带正电,带负电,还

是不带电?

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第8题

已知InSb的禁带宽度Eg=0.15eV,电子的有效质量me=0.014m0,空穴的有效质量mb=0.18m0(m0为电子的惯性质量)。若

已知InSb的禁带宽度Eg=0.15eV,电子的有效质量me=0.014m0,空穴的有效质量mb=0.18m0(m0为电子的惯性质量)。若只有电子才是有效载流子,试求300K下纯InSb的霍尔系数。

如果让100mA的电流通过一宽度b为5mm,厚度d为1mm的InSb的样品,垂直方向的磁场为0.1T,将产生多大的霍尔电压?

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第9题

已知一维晶格中电子的能带可写成 式中a是晶格常数,m是电子的质量,求

已知一维晶格中电子的能带可写成

式中a是晶格常数,m是电子的质量,

求(1)能带宽度,

(2)电子的平均速度,

(3)在带顶和带底的电子的有效质量.

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