题目内容
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[单选题]
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅
答案
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A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅
第2题
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金属
C.单晶硅多晶硅
D.铝铜
E.铝硅
第7题
在Na=1015cm-3的P型Si<111>衬底上制成一铝栅MOS晶体管,栅氧化层厚度为120nm,Si-SiO2界面电荷密度为3×1011cm-2.计算阈值电压.