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[主观题]

将下列硅太阳电池发展历程一一对应。1).1958年A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用B、把

将下列硅太阳电池发展历程一一对应。

1).1958年

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

2).20世纪70年代初

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

3).20世纪80年代初

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

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更多“将下列硅太阳电池发展历程一一对应。1).1958年A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用B、把”相关的问题

第1题

太阳能光伏发电系统中,太阳电池组件表面被污物遮盖,会影响整个太阳电池方阵所发出的电力,从而产生____。

A.霍尔效应

B.孤岛效应

C.充电效应

D.热斑效应

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第2题

降低太阳电池成本的方法主要有____。

A.进一步提高晶体硅太阳电池的转换效率

B.开发聚光太阳电池

C.开发薄膜太阳电池

D.开发固态电池

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第3题

与硅太阳电池相比,GaAs太阳电池具有许多显著的特点,GaAs材料是直接跃迁型半导体对可见光的__
______________ 高,使绝大部分的可见光在材料表面2μm以内就被吸收,电池可采用薄层结构,相对节约材料是其中之一。

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第4题

要求设计一能向设备供电2A,15V的利用光敏面积为20×30mm2的硅太阳电池的蓄电池充电电路,若24h中仅有12h受太
要求设计一能向设备供电2A,15V的利用光敏面积为20×30mm2的硅太阳电池的蓄电池充电电路,若24h中仅有12h受太阳光照,此时太阳电池的Voc=0.571V,Isc=120mA。试求:硅太阳电池所需的电池单元总数?
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第5题

电池片高效率化技术的方法有____。

A.光封闭技术

B.光生载流子收集效率的改善

C.光生成载流子复合损失的增加

D.直接电阻损失的增加

E.电压因子损失的减少

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第6题

非晶硅太阳电池性能测试中,由于非晶硅太阳电池的光谱响应和单晶硅太阳电池相差很大,如果不注意正确选用标准太阳电池,将会得到毫无意义的测试结果。

A.错误

B.正确

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第7题

微晶硅太阳电池的特点()。

A.光谱响应范围窄

B.工艺简单、成本低

C.不存在光致衰减现象,具有较好的稳定性

D.低吸收系数

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第8题

下列不属于减少暗电流和A因子的办法是()

A.抑制高掺杂效应

B.增加各区少子寿命

C.加强漂移场减少表面负荷

D.增加空间电荷区的复合能级

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第9题

到目前为止,我们可以把()分为普通热处理、化学热处理工艺、表面热处理和复合热处理工艺

A.钢轧工艺

B.热处理工艺

C.炼钢工艺

D.调质工艺

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