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[主观题]

本征半导体有何特点?

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更多“本征半导体有何特点?”相关的问题

第1题

何谓本征半导体、P型半导体和N型半导体?它们在导电性能上各有何特点?
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第2题

本征半导体、n型半导体和p型半导体中的载流子各是什么?它们的能带结构有何区别?

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第3题

本征半导体的能带与绝缘体的能带有何异同?
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第4题

什么是本征半导体?什么是掺杂半导体?各有什么特点?

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第5题

与电阻应变片相比,半导体应变片有何特点
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第6题

本征半导体内电子和空穴的有限性决定了其导电性能很低()
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第7题

半导体有哪两类载流子?何谓本征半导体或杂质半导体?说明p-型半导体和n-型半导体的主要差别。

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第8题

线棒采用半导体胶的槽衬工艺下线有何工艺特点?

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第9题

__不是本征半导体的基本特征()

A.温度升高导电能力提高

B.有两种载流子

C.电阻率很小,接近金属导体

D.掺杂质后导电能力提高

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第10题

关于本征跃迁,以下说法正确的是?()

A.本征跃迁是本征吸收的逆过程

B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁

C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与

D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁

E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与

F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多

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第11题

关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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