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[主观题]
试证明：电导率为最小值时硅的霍尔系数 式中，，μn、μp分别为电子和空穴的迁移率，ni为本征载流子浓度（不考虑
试证明：电导率为最小值时硅的霍尔系数
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试证明：电导率为最小值时硅的霍尔系数
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更多“试证明：电导率为最小值时硅的霍尔系数 式中，，μn、μp分别为电子和空穴的迁移率，ni为本征载流子浓度（不考虑”相关的问题
第1题
A.电子浓度 n= 空穴浓度 p
B.电子迁移率 μ n = 空穴迁移率 μ p
C.n 2 × μ n = p 2 × μ p
D.n × μ n 2 = p × μ p 2
第2题
一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为1014cm-3，试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。
第3题
第4题
试证明在两种载流子同时存在和弱磁场条件下的霍尔效应中，霍尔角θ和霍尔系数R可分别表示成
并求：
第8题
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在T=300K时自由电子和空穴热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。
(q=电子电量)。
