题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
DRAM比SRAM慢，可能的原因包括（)
A.DRAM需要刷新
B.DRAM存储体行列地址线复用
C.DRAM读之前需要预充电
D.DRAM存储单元采用了双译码结构
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（请给出正确答案）
A.DRAM需要刷新
B.DRAM存储体行列地址线复用
C.DRAM读之前需要预充电
D.DRAM存储单元采用了双译码结构
答案
更多“DRAM比SRAM慢，可能的原因包括（)”相关的问题
第1题
A.DRAM存储单元的结构比SRAM简单
B.DRAM比SRAM成本高
C.DRAM比SRAM速度快
D.DRAM要刷新，SRAM不刷新
第4题
下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是()。
A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存
B．由于容量大，DRAM采用行列地址复用技术，地址引脚数量仅为地址宽度的一半
C．控制线RAS和CAS是DRAM特有的，分别控制从地址线上读行地址和列地址
D．SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS
第5题
A.RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类
B.SRAM的集成度比DRAM高
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据无须刷新
第6题
A．RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类
B．SRAM的集成度比DRAM高
C．DRAM的存取速度比SRAM快
D．DRAM中存储的数据无须“刷新”
第9题
A．I和II
B．II和III
C．III和IV
D．I和IV
