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[单选题]

在P型半导体中掺入微量的（)等元素后，半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。

A.铟、铝、锑、镓

B.铟、铝、硼、镓

C.铟、磷、锑、砷

D.铟、锑、硼、镓"

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发布时间：2021-07-21

更多“在P型半导体中掺入微量的()等元素后，半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。”相关的问题

第1题

半导体掺入以下()元素后会产生许多缺少电子的空穴。

A . 锑

B . 磷

C . 砷

D . 硼

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第2题

半导体中掺入微量的硼、镓、铝等元素后，形成N型半导体。（)

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第3题

在一掺硼的非简并p型硅中，含有一定浓度的铟，室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm－3。已知掺硼浓度NAl=1016cm－3

在一掺硼的非简并p型硅中，含有一定浓度的铟，室温下测出空穴浓度p₀=1.1×10¹⁶cm^-3。已知掺硼浓度N_Al=10¹⁶cm^-3其电离能△E_A1=E_A1-E_v=0.046eV，铟的电离能△E_A2=E_A2-E_v=0.16eV，试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的N_v=1.04×10¹⁹cm^-3。

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第4题

制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些()。

A、半导体材料的霍尔常数比金属的大

B、半导体中电子迁移率比空穴高

C、半导体材料的电子迁移率比较大

D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件

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第5题

光子探头采用（)材料作用温度传感元件。

A.碲镉汞

B.锑镉铟

C.锑镉铋

D.汞镉铟

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第6题

在一掺硼的非简并p型硅中，含有一定浓度的铟，室温下测出空穴浓度p0=1．1×1016cm-3。已知掺硼浓度NA1

=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0．046eV，铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0．16eV，试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1．04×1019cm-3。

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第7题

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温（300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为N_a1=10¹⁶/cm³，硼的电离能为E_a1-E_v=0.045eV，铟的电离能为E_a2-E_v=0.16eV，试求样品中铟的浓度N_a2[室温下为N_v=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/(V·s)]。

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第8题

太阳能光伏发电的最基本元件有()

A.太阳能电池(片)

B.单晶硅

C.多晶硅

D.非晶硅

E.铜铟镓硒薄膜电池

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第9题

把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）

A.改变禁带宽度