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[主观题]

在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷都成对地产生,令n代表正负离子空位的对数,E是形成一对肖特基缺陷

所需要的能量,N为整个离子晶体中正负离子对的数目,证明

在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷都成对地产生,令n代表正负离子空位的对数,E是形成一对肖特

(2)试求有肖特基缺陷后,体积的相对变化在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷都成对地产生,令n代表正负离子空位的对数,E是形成一对肖特为无缺陷时的晶体体积.

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更多“在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷都成对地产生,令n代表正负离子空位的对数,E是形成一对肖特基缺陷”相关的问题

第1题

假设把一个Na原子从Na晶体中移到表面上所需的能量为1eV,计算室温时肖特基缺陷的相对浓度.

假设把一个Na原子从Na晶体中移到表面上所需的能量为1eV,计算室温时肖特基缺陷的相对浓度。

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第2题

氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV,而从玻尔-哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别,原因是什么?

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第3题

在离子晶体中产生弗伦克尔缺陷时破坏了电中性原则。()
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第4题

(a)MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有x10-6mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势,说明原因。

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第5题

在离子晶体中,如果阴离子和阳离子的尺寸大小相近时,缺陷以空位缺陷为主。()
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第6题

AL2O3的密度为3.96g/cm3,求Al2O3的堆积密度(即离子晶体中离子所占体积与晶体体积之比)。已知Al的相对原子质
AL2O3的密度为3.96g/cm3,求Al2O3的堆积密度(即离子晶体中离子所占体积与晶体体积之比)。已知Al的相对原子质量为26.98,O的相对原子质量为16.00,Al3+的离子半径为0.053nm,O2-的离子半径为0.132nm。
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第7题

对于铜,形成一个肖特基缺陷的能量为1.2eV,而形成一个填隙原子所需要的能量约为4eV.估算接近1300K(铜的熔点)

对于铜,形成一个肖特基缺陷的能量为1.2eV,而形成一个填隙原子所需要的能量约为4eV.估算接近1300K(铜的熔点)时,两种缺陷浓度的数量级差多少.

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第8题

晶体由N个原子组成,如图3-2所示.当原子离开正常位置而占据图巾的格点间隙位置时,晶体中就出现空位和填隙原
晶体由N个原子组成,如图3-2所示.当原子离开正常位置而占据图巾的格点间隙位置时,晶体中就出现空位和填隙原子.品体的这种缺陷称为弗仑克尔(Frenkel)缺陷.假设正常位置和填隙位置数均为N,试证明:由于在晶体中形成n个空位和填隙原子而具有的熵等于

设原子在填隙位置和正常位置的能量差为u,证明当nN时,有

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第9题

氟离子选择电极对氟离子具有较高的选择性是由于( )。

A.只有F-能透过晶体膜

B.F-能与晶体膜进行离子交换

C.由于F-体积比较小

D.F-只能吸附在晶体膜上

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