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[主观题]

下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是 A.信息可读可写,并且读、写速度一样快B.存储元由 M

下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是

A.信息可读可写,并且读、写速度一样快

B.存储元由 MOS 管组成,是一种半导体存储器

C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器

D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器

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更多“下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是 A.信息可读可写,并且读、写速度一样快B.存储元由 M”相关的问题

第1题

下列关于ROM存储器叙述正确的是()

A.随机存储器

B.掉电后信息全部丢失

C.可写可读

D.可读不可写

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第2题

存储器ROM的特点是()

A.ROM中的信息可读可写

B.ROM的访问速度高于磁盘

C.ROM中的信息可以长期保存

D.ROM是一种半导体储存器

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第3题

半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存储器(RAM)的主要区别在于()。A.ROM可永久保存信息,RAM在
半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存储器(RAM)的主要区别在于()。

A.ROM可永久保存信息,RAM在掉电后信息会丢失

B.ROM掉电后,信息会丢失,RAM则不会

C.ROM是内存储器,RAM是外存储器

D.RAM是内存储器,ROM是外存储器

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第4题

静态RAM是一种读写速度较高、功耗也比较大的半导体存储器,但断电后存储的信息就丢失()
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第5题

下面说法正确的是()。A.ROM不用刷新,但集成度比动态RAM高,断电后存储内容消失B.半导体RAM信息可读
下面说法正确的是()。

A.ROM不用刷新,但集成度比动态RAM高,断电后存储内容消失

B.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

C.DRAM和SRAM存储信息都是易失性存储器,断电后存储信息均消失

D.DRAM属于非易失性存储器,而SRAM属于易失性存储器

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第6题

计算机技术中,半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存储器(RAM)的主要区别在于()。

A.RAM是内存储器,ROM是外存储器

B.ROM是内存储器,RAM是外存储器

C.ROM掉电后,信息会丢失,RAM则不会

D.ROM可以永久保存信息,RAM在掉电后信息会丢失

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第7题

下列说法正确的是()。

A.计算机掉电后,所有存储器的内容都会丢失

B.从存储器的某个单元读取内容后,该单元的内容消失

C.存储器的某个单元存入新信息后,原来保存的信息自动消失

D.CPU访问外存的速度一定比访问内存的速度快

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第8题

Flash存储器是一种()存储器。

A.只读半导体

B.可擦除只读半导体

C.先入先出

D.随机读写

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第9题

在下面的叙述中,正确的是______。

A.CPU可以直接访问外存储器。

B.外存储器包括磁盘存储器、光盘存储器和闪存存储器。

C.计算机中信息存储的最小单位是字节。

D.DVD不是光盘存储器。

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