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[判断题]

PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。()

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更多“PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。()”相关的问题

第1题

PN结内部有一内电场,该电场方向由N区指向P区。()
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第2题

pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。()
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第3题

pn结内电场的方向是由()指向()。
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第4题

PN结反向偏置时,外加电压形成的外电场的方向和PN结内电场方向相反,相当于削弱了内电场。()

PN结反向偏置时,外加电压形成的外电场的方向和PN结内电场方向相反,相当于削弱了内电场。()

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第5题

PN结内电场方向为P→N。()
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第6题

PN结内电场方向为P→N()
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第7题

PN结外加反向电压时,外电场与内电场方向一致,加强了内电场,是空间电荷区变窄。()
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第8题

PN结内部的()方向总是指向P区。
PN结内部的()方向总是指向P区。

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第9题

PN结中扩散电流的方向是______,漂移电流的方向是______。 A.从P区到N区B.从N区到P区

PN结中扩散电流的方向是______,漂移电流的方向是______。

A.从P区到N区B.从N区到P区

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第10题

PN结外加正向电压时,下面错误的说法是()。

A.A.N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合,使得空间正电荷区变窄

B.B.N区的电子顺着外电场方向运动,越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

C.C.P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合,使得空间负电荷区变窄

D.D.P区的空穴顺着外电场方向运动,越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

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第11题

AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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