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[判断题]

悬浮区熔法是利用高频感应线圈对多晶硅锭进行逐段熔化，在多晶硅锭下端安装籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭安装界面开始，当熔区推进时，单晶硅锭也拉制成功了（）

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发布时间：2022-09-18

更多“悬浮区熔法是利用高频感应线圈对多晶硅锭进行逐段熔化，在多晶硅锭下端安装籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭安装界面开始，当熔区推进时，单晶硅锭也拉制成功了（）”相关的问题

第1题

采用悬浮区熔法测多晶硅中磷原子含量必须知道其基硼含量（）

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第2题

在国际光伏行业得到了广泛应用的铸造多晶硅的工艺是()。

在国际光伏行业得到了广泛应用的铸造多晶硅的工艺是（)。

A、浇铸法

B、区熔法

C、直熔法

D、直拉法

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第3题

铸造多晶硅主要的工艺有（)。

A.直拉法

B.区熔法

C.直熔法

D.浇铸法

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第4题

微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于()。

微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（)。

A、从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要

B、后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是

C、前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅

D、两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料

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第5题

要从真空仪器的金属部件上清除出气体，可以利用感应加热的方法．如图所示，设线圈长l=20cm，匝数N=30匝（把线圈

要从真空仪器的金属部件上清除出气体，可以利用感应加热的方法．如图所示，设线圈长l=20cm，匝数N=30匝(把线圈近似看作是无限长密绕的)，线圈中的高频电流为I=I₀sin2πft，其中I₀=25A，频率f=10⁵Hz，被加热的是电子管阳极，它是半径r=4mm而管壁极薄的空圆筒，高度hl，其电阻R=5×10^-3Q，求：

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第6题

要从真空仪器内部的金属部件上清除出气体，可以利用感应加热的方法，如图13－20所示，设线圈长为ι=20cm，匝数N=3

要从真空仪器内部的金属部件上清除出气体，可以利用感应加热的方法，如图13-20所示，设线圈长为ι=20cm，匝数N=30匝，线圈中的高频电流为I=I₀sin2πft，其中I₀=25A，频率 f=1.0×10⁵Hz。被加热的是电子管阳极，它是一个半径r=4.omm而管壁极薄的中空圆筒，高度h《ι，其电阻R=5.0×10^-3Ω，求：

(1) 阳极中的感应电流最大值；

(2) 阳极内每秒产生的热量；

(3) 当频率f增加一倍时，热量增加几倍？

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第7题

要从真空仪器的金属部件上清除出气体，可以利用感应加热的方法。如图12－23所示，设线圈长l=20cm，匝数N=30匝（把

要从真空仪器的金属部件上清除出气体，可以利用感应加热的方法。如图12-23所示，设线圈长l=20cm，匝数N=30匝(把线圈近似看作是无限长密绕的)，线圈中的高频电流为I=I₀sin2πft，其中I₀=25A，频率f=10⁵Hz，被加热的是电子管阳极，它是半径r=4mm而管壁极薄的空圆筒，高度h＜＜l，其电阻R=5×10^-3Ω，求：(1)阳极中的感应电流最大值；(2)阳极内每秒产生的热量；(3)当频率f增加1倍时，热量增至几倍？