题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是()。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
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A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
第1题
通常用门电路组成的多谐振荡器最高振荡频率高于用555定时器所组成的多谐振荡器的最高振荡频率。( )
第2题
第4题
晶体管工作在放大区时,发射结为______;集电结为______;工作在饱和区时,发射结为______;集电结为______。
A.正向偏置 B.反向偏置C.零偏置
第5题
第9题
由555定时器构成的多谐振荡器如下图所示,图中VDD=12V,R1=10kΩ,要求输出电压Vo的振荡频率为25kHz,占空比q=70%,试确定定时元件R2和C的数值。