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[单选题]

1973年gaas三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到（)，超过了硅太阳电池。

A.32%

B.22%

C.42%

D.12%

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发布时间：2022-05-20

更多“1973年gaas三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到（)，超过了硅太阳电池。”相关的问题

第1题

下列不是半导体异质结太阳电池的是（)。

A.A.硫化亚铜-硫化镉太阳电池

B.B.砷化镓太阳电池

C.C.非晶硅薄膜太阳电池

D.D.碲化镉太阳电池

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第2题

硅基太阳电池有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池以及非晶硅太阳电池等。通常情况其光电转换效率最高的是() 太阳电池，光电转换效率最低的是()太阳电池。

硅基太阳电池有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池以及非晶硅太阳电池等。通常情况其光电转换效率最高的是（) 太阳电池，光电转换效率最低的是（)太阳电池。

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第3题

与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有许多显著的特点，GaAs材料是直接跃迁型半导体对可见光的__

______________ 高，使绝大部分的可见光在材料表面2μm以内就被吸收，电池可采用薄层结构，相对节约材料是其中之一。

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第4题

降低太阳电池成本的方法主要有____。

A.进一步提高晶体硅太阳电池的转换效率

B.开发聚光太阳电池

C.开发薄膜太阳电池

D.开发固态电池

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第5题

考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，

考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm²．若太阳电池掺杂浓度为N_a=1.7×10¹⁶cm^-3，N_d=5×10¹⁹cm^-3)且已知τ_n=10μs，τ_p=0.5μs，D_n=9.3cm²/s，D_p=2.5cm²/s，I_L=95mA．在室温下：

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第6题

单晶硅太阳能电池组件的生产流程：()硅棒()()太阳电池组件;多晶硅太阳能电池组件的生产流程：()硅碇()硅片太阳电池太阳电池组件。

单晶硅太阳能电池组件的生产流程：（)硅棒（)（)太阳电池组件;多晶硅太阳能电池组件的生产流程：（)硅碇（)硅片太阳电池太阳电池组件。

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第7题

太阳电池主要有();()、非晶硅太阳电池、碲化镉太阳电池、与铜铟硒太阳电池5种类型

太阳电池主要有（);（)、非晶硅太阳电池、碲化镉太阳电池、与铜铟硒太阳电池5种类型

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第8题

非晶硅太阳电池性能测试中，由于非晶硅太阳电池的光谱响应和单晶硅太阳电池相差很大，如果不注意正确选用标准太阳电池，将会得到毫无意义的测试结果。

A．错误

B．正确

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第9题

太阳能电池分为（)。

A.单晶硅太阳电池

B.非晶硅太阳能电池

C.非多晶硅太阳能电池

D.多晶硅太阳电池

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第10题

目前单晶硅太阳电池的实验室最高转换效率为()

A.10.5%

B.24.7%

C.15%

D.20%

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第11题

晶体硅太阳电池寿命可达到（)。

A.15年以上

B.20年以上

C.25年以上

D.35年以上

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