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[主观题]

下述说法中,正确的是()。

A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体电性能比杂质半导体好。

B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电。

C.n型半导体中杂质原子所形成的能级靠近导带的底部,使能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能。

D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。

答案
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更多“下述说法中,正确的是()。”相关的问题

第1题

下述说法中,正确的是()。 (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只

下述说法中,正确的是( )。

(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好

(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电

(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能

(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动

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第2题

关于本征半导体,下列说法哪些是正确的()?

A.本征半导体的载流子浓度来源于本征激发

B.本征半导体,电子浓度等于空穴浓度

C.本征半导体的载流子浓度与温度无关

D.一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小

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第3题

在本征半导体中,本征激发到空带中的电子数目大于余下的满带中的空穴数目。()
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第4题

下述说法中,正确的是( ).

A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电.而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好

B.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电

C.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去.大大提高了半导体导电性能

D.P型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动

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第5题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第6题

由于在一般的半导体中电子和空穴的迁移率是不同的,所以在电子和空穴数目恰好相等的本征半导体中不显示最高

的电阻率.在这种情况下,最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍?如果μn>μp,最高电阻率的半导体是N型还是P型?

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第7题

关于本征跃迁,以下说法正确的是?()

A.本征跃迁是本征吸收的逆过程

B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁

C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与

D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁

E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与

F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多

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第8题

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

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第9题

关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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第10题

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

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第11题

N型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的()。
N型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的()。

A、电子

B、空穴

C、三价元素

D、五价元素

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