下述说法中,正确的是()。
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体电性能比杂质半导体好。
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电。
C.n型半导体中杂质原子所形成的能级靠近导带的底部,使能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能。
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体电性能比杂质半导体好。
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电。
C.n型半导体中杂质原子所形成的能级靠近导带的底部,使能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能。
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。
第1题
下述说法中,正确的是( )。
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能
(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
第2题
A.本征半导体的载流子浓度来源于本征激发
B.本征半导体,电子浓度等于空穴浓度
C.本征半导体的载流子浓度与温度无关
D.一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小
第4题
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电.而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
B.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电
C.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去.大大提高了半导体导电性能
D.P型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
第5题
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第6题
的电阻率.在这种情况下,最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍?如果μn>μp,最高电阻率的半导体是N型还是P型?
第7题
A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
第8题
第9题
A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁