沿试样体积电流方向的直流电场强度与该处的电流面密度之比为()
A.体积电阻率
B.表面电阻率
C.直接电阻率
D.间接电阻率
A.体积电阻率
B.表面电阻率
C.直接电阻率
D.间接电阻率
第1题
A.表面电阻率指滑试样表面电流方向的直流电场强度与单位长度的表面传导电流线密度之比
B.对地电阻指在被测物体表面一点对接地连接点或防静电接地装置之间的电阻
C.静电衰减器指外界作用撤除后,带电体上静电电压或静电电荷下降到其初始值的50%时所需的时间
D.静电中和指带电体上的电荷与其内部或外部异性电荷的结合而使所带静电电荷部分或全部消失的现象
第7题
一圆柱形导体,长为l,半径为a, 电阻率为P通有电流1 (图16-4)而表面无电荷,证明:
(1)在这导体表面上,坡印亭矢量处处都与表面匪直并指向导体内部,如图所示,(注意:导体表面外紧邻处电场与导体内电场的方向和大小都相同。)
(2)坡印亭矢量对整个导体表面的积分等于导体内产生的焦耳热的功率,即
式中dA表示圆柱体表而的面积元,R为圆柱体的电阻。此武表明,按照电磁场的观点,导体内以焦耳热的形式消耗的能量并不是由电流带入的,而是通过导体周围的电磁场输入的。
第8题
A.GCA成立条件是沿沟道方向(电流前进方向)电场强度远小于栅感应电场(半导体表面电场)
B.强反型时可以用GCA,但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后,反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后,可以把二维问题转化为一维
第9题
一 圆柱形导体,长为l,半径为a,电阻率为ρ,通有电流I(图21. 3)而表面无电荷,证明:
(1)在这导体表面上,坡印亭矢量处处都与表面垂直并指向导体内部,如图所示(注意:导体表面外紧邻处电场与导体内电场的方向和大小都相同)。
(2)坡印亭矢量对整个导体表面的积分等于导体内产生的焦耳热的功率,即式中dA表示圆柱体表面的面积元,R为圆柱体的电阻。此式表明,按照电磁场的观点,导体内以焦耳热的形式消耗的能量并不是由电流带入的,而是通过导体周围的电磁场输入的。
第10题