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[主观题]

当硅中掺杂以施主杂质(v族元素:磷、砷、锑等)为主时,以()导电为主,成为N型硅;当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素:硼、铝、镓等)为主时,以()导电为主,成为P型硅。

当硅中掺杂以施主杂质(v族元素:磷、砷、锑等)为主时,以()导电为主,成为N型硅;当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素:硼、铝、镓等)为主时,以()导电为主,成为P型硅。

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第1题

下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。
下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。

A.硼

B.锡

C.锑

D.磷

E.砷

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第2题

在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。

A.铟、铝、锑、镓

B.铟、铝、硼、镓

C.铟、磷、锑、砷

D.铟、锑、硼、镓"

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第3题

在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。

A.锗

B.磷

C.硼

D.锡

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第4题

半导体硅常用的施主杂质是()。

A.锡

B.硫

C.硼

D.磷

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第5题

半导体硅常用的受主杂质是()。

A.锡

B.硫

C.硼

D.磷

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第6题

当硅中掺有硼杂质时拉出的单晶为()。

A、 P型

B、 N型

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第7题

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子,试计算在T=300K时自由电子和空穴热平衡浓度值,掺杂前后半导体的电导

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子,试计算在T=300K时自由电子和空穴热平衡浓度值,掺杂前后半导体的电导率之比。

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第8题

化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是()。

A.锡

B.硼

C.磷

D.锰

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第9题

硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后,施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能

硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后,施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能吸收的光子的最大波长。

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第10题

当硅中掺有受主杂质时拉出的单晶其型号为()。

A、N型

B、P型

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第11题

对于碳素结构钢,有害杂质元素是()。

A.硫

B.硅

C.锰

D.硼

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