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[判断题]
载流子即半导体中参加导电的电子和空穴。（）
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第4题
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体电性能比杂质半导体好。
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电。
C.n型半导体中杂质原子所形成的能级靠近导带的底部，使能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能。
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。
第5题
下述说法中，正确的是( )。
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能
(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
第6题
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电．而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
B.N型半导体的导电性能优于P型半导体，因为N型半导体是负电子导电，P型半导体是正离子导电
C.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去．大大提高了半导体导电性能
D.P型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
第8题
第9题
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第10题
A.W型半导体
B.U型半导体
C.P型半导体
D.N型半导体
