异质结gaas太阳电池b比同质结gaas太阳电池光电转换效率高。（)

第1题

1973年gaas三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到（)，超过了硅太阳电池。

A.A.32%

B.B.22%

C.C.42%

D.D.12%

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第2题

下列不是半导体异质结太阳电池的是（)。

A.A.硫化亚铜-硫化镉太阳电池

B.B.砷化镓太阳电池

C.C.非晶硅薄膜太阳电池

D.D.碲化镉太阳电池

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第3题

与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有许多显著的特点，GaAs材料是直接跃迁型半导体对可见光的__

______________ 高，使绝大部分的可见光在材料表面2μm以内就被吸收，电池可采用薄层结构，相对节约材料是其中之一。

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第4题

有机太阳电池基本的结构模型有（)。

A.PIN结构

B.单层混合膜异质结结构

C.双层异质结结构

D.单层同异质结结构

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第5题

光电转换的最小单元称为（)。

A.太阳电池单体

B.太阳电池

C.太阳电池组件

D.太阳电池方阵

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第6题

硅基太阳电池有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池以及非晶硅太阳电池等。通常情况其光电转换效率最高的是() 太阳电池，光电转换效率最低的是()太阳电池。

硅基太阳电池有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池以及非晶硅太阳电池等。通常情况其光电转换效率最高的是（) 太阳电池，光电转换效率最低的是（)太阳电池。

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第7题

下列太阳能电池按结构分类的是（）

A.同质结太阳电池

B.平板太阳能电池

C.硒光电池

D.光伏传感器

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第8题

铜铟镓硒薄膜太阳电池受到全世界广泛研究的原因是（)。

A.光电转换效率高

B.抗辐射能力强

C.成本低

D.性能稳定

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第9题

关于pn结的注入特性，以下说法正确的是？（)

A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一

B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求

C.决定异质pn结注入比的是，通常可获得较大的注入比

D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比

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第10题

关于量子阱与二维电子气，以下说法正确的是？（)

A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱

B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的

C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)

D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱

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第11题

太阳电池是一种光电转换器，只要有光就会产生电。（)

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