题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
常用的半导体材料的特性参数有()。
A.禁带宽度
B.电阻率
C.载流子迁移率
D.非平衡载流子寿命
E.位错密度
答案
ABCDE
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题目内容
（请给出正确答案）
A.禁带宽度
B.电阻率
C.载流子迁移率
D.非平衡载流子寿命
E.位错密度
答案
ABCDE
更多“常用的半导体材料的特性参数有（)。A、禁带宽度B、电阻率C、载流子迁移率D、非平衡载流子寿命E、位错”相关的问题
第1题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第2题
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
第5题
B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动
C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度
D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度
E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系
F、只有载流子的漂移运动会形成电流，载流子的扩散运动不形成电流
G、载流子的扩散运动也是定向运动，也会形成电流
H、在均匀半导体中，如果没有产生非平衡载流子，则不存在载流子的扩散运动
I、在均匀半导体中，如果在材料的局部区域产生非平衡载流子，则非平衡载流子作扩散运动
J、非均匀半导体中，没有外加电场时，如果没有产生非平衡载流子，则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动
K、在电场作用下，材料中所有的载流子都作漂移运动
第6题
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
第9题
用本征硅材料制成的一个热敏电阻，在290K时的电阻值是500Ω。设硅的禁带宽度Eq=1.12eV，且认为不随温度变化，若假设载流子迁移率不变，试估计在325K时热敏电阻的近似值。
第10题
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
