题目内容
（请给出正确答案）
[不定项选择题]
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.1/4
B.1/e
C.1/e2
D.1/2
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更多“一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。”相关的问题
第2题
某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3，少子寿命τn=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018cm-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)。
第3题
第4题
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
第5题
用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡空穴的寿命为τp，光脉冲宽度△t=3τp。
第6题
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n0)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为
第7题
B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
第8题
B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动
C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度
D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度
E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系
F、只有载流子的漂移运动会形成电流，载流子的扩散运动不形成电流
G、载流子的扩散运动也是定向运动，也会形成电流
H、在均匀半导体中，如果没有产生非平衡载流子，则不存在载流子的扩散运动
I、在均匀半导体中，如果在材料的局部区域产生非平衡载流子，则非平衡载流子作扩散运动
J、非均匀半导体中，没有外加电场时，如果没有产生非平衡载流子，则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动
K、在电场作用下，材料中所有的载流子都作漂移运动
第10题
A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动
B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动
