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题目内容
（请给出正确答案）
A.读操作也具有刷新功能
B.DRAM比相同工艺的SRAM要慢
C.某DRAM芯片地址引脚数据为12根，则其容量为16M
D.工具DRAM的工作原理可知，相同容量的DRAM比SRAM功耗低
答案
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第5题
A.动态存储器的刷新按行进行
B.该动态存储器的刷新地址计数器的模为2^8
C.该动态存储单体的数据线和地址线之和为16
D.该刷新地址计数器在2ms内必须进行一轮计数循环
第6题
下列关于主存储器的描述中，正确的是()。
I．CPU访存时间由存储器容量决定
Ⅱ．ROM和RAM在存储器中是统一编址的
Ⅲ．ROM中任意一个单元可以随机访问
Ⅳ．DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写
A．I和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ
第8题
下列半导体存储器中，读/写速度最快的是______，掉电后内存不丢失的何______。
A．PROM B．EPROM C．EEPROM D．Flash RAM
E．SRAM F．SDRAM G．DDRRAM
第9题
下列关于闪存（Flash Memory）的叙述中，错误的是
A.信息可读可写，并且读、写速度一样快
B.存储元由 MOS 管组成，是一种半导体存储器
C.掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器
D.采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
第10题
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个：存储容量和工作频率，工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低，生产成本高，一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失，目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
