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[判断题]

对于非晶态半导体，位错也是反映其晶格完整性的特性参数。（）

答案

错误

发布时间：2022-10-13

更多“对于非晶态半导体，位错也是反映其晶格完整性的特性参数。（）”相关的问题

第1题

常用的半导体材料的特性参数有()。

A.禁带宽度

B.电阻率

C.载流子迁移率

D.非平衡载流子寿命

E.位错密度

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第2题

化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有();()、数载流子移动度i以及扩散长度L，特别是在太阳能电池中，复合效果也是重要的参数。

化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（);（)、数载流子移动度i以及扩散长度L，特别是在太阳能电池中，复合效果也是重要的参数。

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第3题

非晶半导体材料，是失去了像结晶型那长距离晶格结构后的材料，其原子周围的化学键状态与结晶时保持()的状态。

非晶半导体材料，是失去了像结晶型那长距离晶格结构后的材料，其原子周围的化学键状态与结晶时保持（)的状态。

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第4题

材料的晶格类型尽管会影响位错运动，但不会影响其屈服强度。（)

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第5题

霍尔元件通常采用（)半导体材料，材料中导电的载流子是电子。

A.有机化合物

B.N型

C.P型

D.非晶态

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第6题

Rz参数由于测量点不多，因此在反映微观几何形状高度方面的特性不如Ra参数充分。()

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第7题

由于晶格热振动的加剧，金属和半导体的电阻率均随温度的升高而增大。()

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第8题

在Ra，Rx，Ry三项参数中，Ra能充分地反映表面微观几何形状高度方面的特性。（）

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第9题

功角特性，反映了同步发电机的有功功率和发电机本身参数及内部电磁量的关系。（）

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第10题

()是反映晶格特征的最小几何单元，表示其大小的参数是()。

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第11题

高聚物的聚集态结构包括晶态、非晶、取向。()

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