某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm－3，少子寿命τn=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018cm－3·s

某p型半导体掺杂浓度N_A=10¹⁶cm^-3，少子寿命τ_n=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=10¹⁸cm^-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3)。