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某n型半导体硅，其掺杂浓度N_D=10¹⁵cm^-3，少子寿命τ_p=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设n_i=1.5×10¹⁰cm^-3)？

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发布时间：2021-07-20

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第1题

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某p型半导体掺杂浓度N_A=10¹⁶cm^-3，少子寿命τ_n=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=10¹⁸cm^-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3)。

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第2题

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一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n₀和p₀，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm³·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n₀)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为

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第3题

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有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为N_A=9×10¹⁵cm^-3和N_D=2×10¹⁶cm^-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm²/(V·s)和500cm²/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm²/(V·s)和900cm²/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10^-2cm²。当外加正向电压V_F=0.65V时，

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第4题

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试说明在室温下，某半导体的电子浓度时，其电导率σ为最小值。式中n_i是本征载流子浓度，μ_p、μ_n分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。

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第5题

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一个pn结二极管具有下列参数：N_D=10¹⁶cm^-3，NA=5×10¹⁸cm^-3，τ_n=τ_p=1μs，A=0.01cm²。设该结两边的宽度远大于各自少数载流子的扩散长度。试求室温(300K)时正向电流为1mA时的外加电压。设p型区的电子迁移率μ_n=500cm²/(V·s)，n型区的空穴迁移率μ_p=180cm²/(V·s)。

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第6题

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室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁵个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²/cm³，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/(V·s)，μ_p=1700cm²/(V·s)且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm^-3。

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第7题

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第8题

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第9题

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