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一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0，恒定光照下，产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s，复合系数为γ。今另加一闪光，产生附加光载流子的浓度为△n=△p(＜＜n0)。试证，闪光t秒后，样品内空穴浓度为
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第1题
第2题
设一均匀的n型Si样品，在左半部用一稳定的光照射(见图)，均匀产生电子—空穴对，产生率为g0，若样品足够长，试求稳态时样品两边的空穴浓度分布。
第3题
试说明在室温下，某半导体的电子浓度
时，其电导率σ为最小值。式中ni是本征载流子浓度，μp、μn分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。
第4题
光照一个1Ω·cm的n型硅样品，均匀地产生非平衡载流子，电子—空穴对的产生率为1017cm-2·s-1。设样品的寿命为10μs，表面复合速度为100cm/s。试计算：
①单位时间在单位面积表面复合的空穴数。
②单位时间单位表面积下离表面三个扩散长度的体积内复合的空穴数。
第5题
式中，，μn、μp分别为电子和空穴的迁移率，ni为本征载流子浓度(不考虑载流子的速度统计分布)。
第6题
用光照射N型半导体样品(小注入)，假设光被均匀的吸收，电子-空穴对的产生率为GL，空穴的寿命为τ，光照开始时，即t=0，△p=0，试求出：
第7题
某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3，少子寿命τn=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018cm-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)。
第8题
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
