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[多选题]

对于太阳电池来说,为了得到高的转换效率,要求材料有大的()和适中的()。

A.禁带宽度

B.电阻率

C.载流子迁移率

D.非平衡载流子寿命

E.位错密度

答案

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更多“对于太阳电池来说,为了得到高的转换效率,要求材料有大的()和适中的()。A、禁带宽度B、电阻率C、载”相关的问题

第1题

硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为()的材料,以获得高的转换效率。
硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为()的材料,以获得高的转换效率。

A、0.1至50·cm

B、零点几至2Ω·cm

C、小于0.01

D、10至200Ω·cm

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第2题

半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
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第3题

常用的半导体材料的特性参数有()。

A.禁带宽度

B.电阻率

C.载流子迁移率

D.非平衡载流子寿命

E.位错密度

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第4题

为了实现光电转换效率高的太阳能电池,太阳光谱的整合是必要的,太阳能电池材料的禁带宽度Eg为()左右,认为是最合适的,Eg为()的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
为了实现光电转换效率高的太阳能电池,太阳光谱的整合是必要的,太阳能电池材料的禁带宽度Eg为()左右,认为是最合适的,Eg为()的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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第5题

薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有()。

A.成本优势

B.转换效率提高空间大

C.利用范围更加广泛

D.对环境危害小

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第6题

在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。
在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。

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第7题

铜铟镓硒薄膜太阳电池的禁带宽度()。
铜铟镓硒薄膜太阳电池的禁带宽度()。

A、0.97eV

B、1.02~l.67eV范围内可调

C、3.16eV

D、2.1eV

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第8题

铜铟镓硒薄膜太阳电池走向大规模的产业化最大的困难是()

A.复杂的多层结构和敏感的元素配比,对工艺和设备的要求非常严格

B.性能不稳定

C.光电转换效率低

D.其成本高、抗辐射能力弱

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第9题

通过采用MQW结构,电流值可用()和()控制,电压可用本体上的禁带宽度控制,因此即使是单电池片,其转换效率也有望达到40%。
通过采用MQW结构,电流值可用()和()控制,电压可用本体上的禁带宽度控制,因此即使是单电池片,其转换效率也有望达到40%。

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第10题

‎以下哪项不是制备核壳结构的半导体量子点的必要条件?()‌

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

B.对于壳层采用半导体晶体修饰时,两种半导体材料的晶格常数要相匹配,以减少界面张力

C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布

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第11题

对热电阻的材料要求有()。

A.电阻温度系数大

B.电阻温度系数小

C.电阻率高

D.热电容小

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