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[单选题]

将下列半导体材料的特性参数与其性质对应（）。禁带宽度

A.反映材料的导电能力

B.反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C.反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

答案

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

发布时间：2022-10-13

更多“将下列半导体材料的特性参数与其性质对应（）。禁带宽度”相关的问题

第1题

常用的半导体材料的特性参数有()。

A.禁带宽度

B.电阻率

C.载流子迁移率

D.非平衡载流子寿命

E.位错密度

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第2题

新一代信息技术产业发展趋势包括材料技术不断创新突破促进电子元器件提质发展，带动电子信息产业提档升级发展。其中第三代半导体材料以()为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。

A.砷化镓

B.氮化镓

C.氧化锌

D.碳化硅

E.金刚石

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第3题

对于一定的p型半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（），本征流子浓度（），功函数（）。

A.增加

B.不变

C.减少

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第4题

图1是电子体温计，它是通过感温头中电流的大小来反映人的体温。感温头是用半导体材料制成的，这是应用了半导体的（）

A.单向导电特性

B.良好的绝缘特性

C.电阻随压力变化而变化的特性

D.电阻随温度变化而变化的特性

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第5题

材料的禁带宽度，最大的是（)

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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第6题

第三代半导体材料具有()等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。

第三代半导体材料具有（)等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。

A.宽的禁带宽度

B.高的热导率

C.高的击穿电场

D.高的抗辐射能力

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第7题

已知半导体发光材料的禁带宽度为1.24eV，试计算其中心辐射波长。

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第8题

半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

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第9题

半导体材料的能级结构不是分立的单值能级，而是有一定宽度的带状结构，称为 ( )。

A.能带

B.价带

C.导带

D.禁带

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第10题

半导体材料在()等性能方面具有优势。

A.禁带宽度

B.电子迁移率

C.相对介电常数

D.热导率

E.击穿场强

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第11题

反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大，则ni越大，反向饱和电流就越大。（)

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