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（请给出正确答案）
A.反映材料的导电能力
B.反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C.反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
答案
B、反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
更多“将下列半导体材料的特性参数与其性质对应（）。非平衡载流子寿命”相关的问题
第1题
A.反映材料的导电能力
B.反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C.反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
第5题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第7题
A.单向导电特性
B.良好的绝缘特性
C.电阻随压力变化而变化的特性
D.电阻随温度变化而变化的特性
第8题
A.反映了载流子的迁移率和扩散系数之间的关系
B.反映了载流子的漂移运动和扩散运动之间的内在联系
C.仅适用于非简并半导体
D.适用于所有的半导体
E.反映了平衡子载流子运动与非平衡载流子运动之间的关系
F.反映了扩散长度与扩散系数之间的关系
第9题
第10题
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
