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国开(电大)题库 > 专科 >光伏发电技术与应用 >光伏技术与应用概论 > 国开《光伏技术与应用概论》(专科)形考任务2试题及答案

国开《光伏技术与应用概论》(专科)形考任务2试题及答案

有效期:购买后30天内有效
最近更新:2022年10月13日
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光伏技术是指可直接将太阳的光能转换为电能的技术,用此技术制作的光伏电池使用方便,特别是近年来微小型半导体逆变器迅速发展,促使其应用更加快捷。国开《光伏技术与应用概论》(专科)形考任务2试题及答案由学赛为您整理,仅供参考。注:本试卷共60题,暂缺第14题。

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国开《光伏技术与应用概论》(专科)形考任务2试题及答案试题导航
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试题 1
[单选题] (),硅太阳电池开始在地面应用。
[单选题] (),硅太阳电池开始在地面应用。

A.1958年

B.20世纪70年代初

C.20世纪70年代末

D.20世纪80年代初

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试题 2
[单选题] 用()制造的半导体器件,耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作光伏器件和大功率器件。
[单选题] 用()制造的半导体器件,耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作光伏器件和大功率器件。

A.锗

B.硅

C.硒

D.硼

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试题 3
[单选题] 导电类型是()所专有的一个概念。
[单选题] 导电类型是()所专有的一个概念。

A.导体

B.半导体

C.金属材料

D.绝缘体

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试题 4
[单选题] 光伏产业链的中游环节包括()。
[单选题] 光伏产业链的中游环节包括()。

A.硅料,硅片

B.电池片,电池组件

C.应用系统

D.硅片,电池片,电池组件

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试题 5
[单选题] 当硅中掺入III族元素时,如()等,就会形成P型材料。
[单选题] 当硅中掺入III族元素时,如()等,就会形成P型材料。

A.磷

B.锑

C.砷

D.硼

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试题 6
[单选题] 1954年,第一块实用的单晶硅光电池效率为()。
[单选题] 1954年,第一块实用的单晶硅光电池效率为()。

A.5%

B. 6%

C. 7%

D. 8%

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试题 7
[单选题] 用于地面已批量生产的太阳电池材料主要有单晶硅、多晶硅与()。
[单选题] 用于地面已批量生产的太阳电池材料主要有单晶硅、多晶硅与()。

A.非晶硅薄膜

B.GaAs

C.InP

D.CdTe薄膜

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试题 8
[单选题] 薄膜电池材料目前不包括()。
[单选题] 薄膜电池材料目前不包括()。

A.非晶硅薄膜

B.多晶硅(微晶硅)薄膜

C.单晶硅薄膜

D.CuInSe2(CuInS2)薄膜

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试题 9
[单选题] 光伏效应的英文简称是()。
[单选题] 光伏效应的英文简称是()。

A.PC

B.PT

C.PE

D.PV

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试题 10
[单选题] 光电转换实现的基本装置是()。
[单选题] 光电转换实现的基本装置是()。

A.硅料

B. 硅片

C. 太阳电池

D. 太阳电池方阵

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试题 11
[多选题] 20世纪70年代初,()开始引入到电池的制造工艺中,太阳电池转换效率有了较大提高。
[多选题] 20世纪70年代初,()开始引入到电池的制造工艺中,太阳电池转换效率有了较大提高。

A.背表面场

B.细栅金属化

C.浅结表面扩散

D.表面织构化

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试题 12
[多选题] 近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术,主要有()。
[多选题] 近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术,主要有()。

A.单双层减反射膜

B.激光刻槽埋藏栅线技术

C.绒面技术

D.背点接触电极克服表面栅线遮光问题

E.高效背反射器技术

F.光吸收技术

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试题 13
[多选题] 常用的半导体材料的特性参数有()。
[多选题] 常用的半导体材料的特性参数有()。

A.禁带宽度

B.电阻率

C.载流子迁移率

D.非平衡载流子寿命

E.位错密度

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试题 14
[多选题] 高纯多晶硅是()的主要原料。
[多选题] 高纯多晶硅是()的主要原料。

A.带状多晶硅

B.铸造多晶硅

C.区熔单晶硅

D.直拉单晶硅

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试题 15
[多选题] 铸造多晶硅在()方面不如单晶硅。
[多选题] 铸造多晶硅在()方面不如单晶硅。

A.力学性质

B.光学性质

C.热学性质

D.电学性能

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试题 16
[多选题] 薄膜电池材料包括()。
[多选题] 薄膜电池材料包括()。

A.非晶硅薄膜

B.多晶硅(微晶硅)薄膜

C.CdTe

D.CdS薄膜

E.CuInSe2(CuInS2)薄膜

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试题 17
[多选题] 半导体材料的电阻率介于()和()之间。
[多选题] 半导体材料的电阻率介于()和()之间。

A.非绝缘体

B.绝缘体

C.金属

D.非金属

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试题 18
[多选题] 光伏产业链包括()环节。
[多选题] 光伏产业链包括()环节。

A.硅料

B.硅片

C.电池片

D.电池组件

E.应用系统

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试题 19
[多选题] 半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为()。
[多选题] 半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为()。

A.元素半导体

B.化合物半导体

C.无定形半导体材料

D.有机增导体材料

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试题 20
[判断题] 硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用。()
[判断题] 硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用。()
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试题 21
[判断题] 由于生产规模的扩大,生产工艺的改进,晶体硅太阳电池组件的制造成本2010年有望降至1美元/Wp。()
[判断题] 由于生产规模的扩大,生产工艺的改进,晶体硅太阳电池组件的制造成本2010年有望降至1美元/Wp。()
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试题 22
[判断题] 光伏材料又称太阳电池材料,只有半导体材料具有这种功能。()
[判断题] 光伏材料又称太阳电池材料,只有半导体材料具有这种功能。()
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试题 23
[判断题] 位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。()
[判断题] 位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。()
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试题 24
[判断题] 20世纪70年代末硅太阳电池开始在地面应用。()
[判断题] 20世纪70年代末硅太阳电池开始在地面应用。()
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试题 25
[判断题] 太阳能发电是一种新兴的可再生能源利用方式。()
[判断题] 太阳能发电是一种新兴的可再生能源利用方式。()
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试题 26
[判断题] 禁带宽度越大,晶体管正常工作的高温限也越高。()
[判断题] 禁带宽度越大,晶体管正常工作的高温限也越高。()
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试题 27
[判断题] 对于非晶态半导体,位错也是反映其晶格完整性的特性参数。()
[判断题] 对于非晶态半导体,位错也是反映其晶格完整性的特性参数。()
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试题 28
[判断题] 金属的电阻率很高,绝缘体的电阻率非常小,半导体材料的电阻率介于两者之间。()
[判断题] 金属的电阻率很高,绝缘体的电阻率非常小,半导体材料的电阻率介于两者之间。()
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试题 29
[判断题] 载流子即半导体中参加导电的电子和空穴。()
[判断题] 载流子即半导体中参加导电的电子和空穴。()
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试题 30
[单选题] 将下列太阳电池种类与电池组件光电转换效率对应()。单晶硅
[单选题] 将下列太阳电池种类与电池组件光电转换效率对应()。单晶硅

A.6%~8%

B.14%~16%

C.15%~17%

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试题 31
[单选题] 将下列太阳电池种类与电池组件光电转换效率对应()。多晶硅
[单选题] 将下列太阳电池种类与电池组件光电转换效率对应()。多晶硅

A.6%~8%

B.14%~16%

C.15%~17%

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试题 32
[单选题] 将下列太阳电池种类与电池组件光电转换效率对应()。非晶硅
[单选题] 将下列太阳电池种类与电池组件光电转换效率对应()。非晶硅

A.6%~8%

B.14%~16%

C.15%~17%

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试题 33
[单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应()。元素半导体
[单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应()。元素半导体

A.砷化镓

B.氧化物玻璃

C.硅

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试题 34
[单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应()。化合物半导体
[单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应()。化合物半导体

A.砷化镓

B.氧化物玻璃

C.硅

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试题 35
[单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应()。无定形半导体材料
[单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应()。无定形半导体材料

A.砷化镓

B.氧化物玻璃

C.硅

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试题 36
[单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应()。禁带宽度
[单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应()。禁带宽度

A.反映材料的导电能力

B.反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C.反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

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试题 37
[单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应()。电阻率、载流子迁移率
[单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应()。电阻率、载流子迁移率

A.反映材料的导电能力

B.反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C.反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

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试题 38
[单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应()。非平衡载流子寿命
[单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应()。非平衡载流子寿命

A.反映材料的导电能力

B.反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C.反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

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试题 39
[单选题] 将下列切割方式与特点对应()。外圆切割
[单选题] 将下列切割方式与特点对应()。外圆切割

A.刀片薄,晶体损失少,不受硅棒直径限制

B.刀片薄,晶体损失最少

C.刀片厚,晶体损失多

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试题 40
[单选题] 将下列切割方式与特点对应()。内圆切割
[单选题] 将下列切割方式与特点对应()。内圆切割

A.刀片薄,晶体损失少,不受硅棒直径限制

B.刀片薄,晶体损失最少

C.刀片厚,晶体损失多

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试题 41
[单选题] 将下列切割方式与特点对应()。带锯切割
[单选题] 将下列切割方式与特点对应()。带锯切割

A.刀片薄,晶体损失少,不受硅棒直径限制

B.刀片薄,晶体损失最少

C.刀片厚,晶体损失多

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试题 42
[单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应()。单晶硅太阳电池
[单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应()。单晶硅太阳电池

A.12%

B.20.4%

C.25%

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试题 43
[单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应()。多晶硅太阳电池
[单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应()。多晶硅太阳电池

A.12%

B.20.4%

C.25%

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试题 44
[单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应()。非晶硅单结太阳电池
[单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应()。非晶硅单结太阳电池

A.12%

B.20.4%

C.25%

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试题 45
[单选题] 将下列硅片几何尺寸参数对应()。THK
[单选题] 将下列硅片几何尺寸参数对应()。THK

A.厚度

B.总厚度偏差

C.翘曲度

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试题 46
[单选题] 将下列硅片几何尺寸参数对应()。TTV
[单选题] 将下列硅片几何尺寸参数对应()。TTV

A.厚度

B.总厚度偏差

C.翘曲度

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试题 47
[单选题] 将下列硅片几何尺寸参数对应()。Warp
[单选题] 将下列硅片几何尺寸参数对应()。Warp

A.厚度

B.总厚度偏差

C.翘曲度

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试题 48
[单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应()。1958年
[单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应()。1958年

A.硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B.把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C.把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引入到电池的制造工艺中

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试题 49
[单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应()。20世纪70年代初
[单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应()。20世纪70年代初

A.硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B.把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C.把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引入到电池的制造工艺中

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试题 50
[单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应()。20世纪80年代初
[单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应()。20世纪80年代初

A.硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B.把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C.把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引入到电池的制造工艺中

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试题 51
[单选题] 将下列事件与时间关系等对应()。1839年
[单选题] 将下列事件与时间关系等对应()。1839年

A.法国物理学家A·E·Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应

B.在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应

C.贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池

D.

E.

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试题 52
[单选题] 将下列事件与时间关系等对应()。1876年
[单选题] 将下列事件与时间关系等对应()。1876年

A.法国物理学家A·E·Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应

B.在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应

C.贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池

D.

E.

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试题 53
[单选题] 将下列事件与时间关系等对应()。1954年
[单选题] 将下列事件与时间关系等对应()。1954年

A.法国物理学家A·E·Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应

B.在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应

C.贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池

D.

E.

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试题 54
[单选题] 将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因对应()。反射遮荫等光学损失
[单选题] 将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因对应()。反射遮荫等光学损失

A.P/N结区复合

B.封装材料透光率

C.逆变器等电器损耗

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试题 55
[单选题] 将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因对应()。载流子复合损失
[单选题] 将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因对应()。载流子复合损失

A.P/N结区复合

B.封装材料透光率

C.逆变器等电器损耗

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试题 56
[单选题] 将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因对应()。连接转换等电学损失
[单选题] 将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因对应()。连接转换等电学损失

A.P/N结区复合

B.封装材料透光率

C.逆变器等电器损耗

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试题 57
[单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应()。断线
[单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应()。断线

A.切割工艺出现异常

B.硅棒对接位置不好

C.加工好的硅片在空气中停留时间过长

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试题 58
[单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应()。跳线
[单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应()。跳线

A.切割工艺出现异常

B.硅棒对接位置不好

C.加工好的硅片在空气中停留时间过长

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试题 59
[单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应()。花片
[单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应()。花片

A.切割工艺出现异常

B.硅棒对接位置不好

C.加工好的硅片在空气中停留时间过长

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