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国开《光伏技术与应用概论》（专科）形考任务3试题及答案

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最近更新：2022年10月13日

光伏技术的材料有：晶体硅光电池、非晶硅光电池、多晶硅光电池、铜铟硒光电池、碲化镉光电池、砷化镓光电池和其它光电池。国开《光伏技术与应用概论》（专科）形考任务3试题及答案由学赛为您整理，仅供参考。

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试题 1 [单选题] 太阳电池组件通常是由多个电池()而成。

A．串联

B．并联

C．串联或并联

D．串叠

试题 2 [单选题] 硅晶体中任一原子最多形成()个共价键。

A．1

B．2

C．3

D．4

试题 3 [单选题] 太阳电池串叠时，能够吸收较高能量光谱的电池放在()。

A．上层

B．下层

C．中间

D．任意

试题 4 [单选题] 铸造多晶硅太阳电池的光电转换效率要比直接单晶硅低()。

A．1%~2%

B．2%~3%

C．3%~4%

D．4%~5%

试题 5 [单选题] 单晶硅电池的颜色多为()。

A．白色

B．金色

C．绿色

D．深蓝

试题 6 [单选题] 薄膜电池迅速发展的最大优势是()。

A．成本优势

B．转换效率提高空间大

C．利用范围更加广泛

D．对环境危害小

试题 7 [单选题] ()是制造光伏器件和微波器件及集成电路的重要材料。

A．砷化镓

B．磷化锢

C．锑化锢

D．碳化硅

试题 8 [单选题] 单结GaAs太阳电池的转换效率已达()。

A．24%

B．25%

C．26%

D．27%

试题 9 [单选题] 有“第三代太阳电池”之称的是()太阳电池。

A．非晶硅a-Si薄膜

B．碲化镉CdTe薄膜

C．铜铟硒化物(CIS/CIGS)薄膜

D．染料敏化纳米晶(DSSC)

试题 10 [单选题] 太阳电池材料缺陷属于下列()影响太阳电池转换效率的主要因素。

A．反射及遮蔽等光学性能损失

B．载流子迁移复合损失

C．连接转换等电学损失

D．其它损失

试题 11 [多选题] 薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有()。

A．成本优势

B．转换效率提高空间大

C．利用范围更加广泛

D．对环境危害小

试题 12 [多选题] 20世纪70年代初，（）开始引入到电池的制造工艺中，太阳电池转换效率有了较大提高。

A．背表面场

B．细栅金属化

C．浅结表面扩散

D．表面织构化

试题 13 [多选题] 硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有()。

A．光电转换理论效率相对较低

B．光吸收系数远远低于其他太阳光电材料

C．相对成本较高

D．尺寸相对较小

试题 14 [多选题] 太阳电池组件具有的主要特点有()。

A．满足不同电压输出要求

B．有足够的机械强度

C．有明显的电性能增益

D．提高利用效率

试题 15 [多选题] 多晶硅结构在阳光下可通过控制氮化硅减反射膜的厚度，呈现()等不同的颜色。

A．黑色

B．金色

C．绿色

D．深蓝

试题 16 [多选题] 对于太阳电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的()和适中的()。

A．禁带宽度

B．电阻率

C．载流子迁移率

D．非平衡载流子寿命

E．位错密度

试题 17 [多选题] 可做太阳电池材料的材料有()。

A．硅晶材料

B．薄膜电池材料

C．GaAs半导体材料

D．其他类型太阳电池材料

试题 18 [多选题] 与其他太阳电池相比，制造单晶硅太阳电池()。

A．所用硅材料比较丰富

B．制造技术比较成熟

C．转换效率较高

D．结晶中缺陷较小

试题 19 [多选题] 常用的半导体材料的特性参数有()。

A．禁带宽度

B．电阻率

C．载流子迁移率

D．非平衡载流子寿命

E．位错密度

试题 20 [多选题] 近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术，主要有（）。

A．单双层减反射膜

B．激光刻槽埋藏栅线技术

C．绒面技术

D．背点接触电极克服表面栅线遮光问题

E．高效背反射器技术

F．光吸收技术

试题 21 [主观题] 太阳电池光电转换效率指的是照射到太阳电池表面上的阳光被转换成可用电流的光子数与入射光子总

量的比例。()

试题 22 [判断题] 硅晶体的半导体性源于共价键。（）

试题 23 [判断题] 光电器件对半导体材料特性的要求中，高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。（）

试题 24 [判断题] 直拉（CZ）硅单晶主要用来制作大功率整流元件和闸流管等电力电子器件。（）

试题 25 [判断题] 共价键的饱和性是指一个电子和另外一个电子配对以后，就不能再和第三个电子配对。（）

试题 26 [判断题] 当P型半导体材料和N型半导体材料相连接，将在晶体中P型和N型材料之间形成界面，即P-N结。（）

试题 27 [判断题] 染料敏化纳米晶太阳电池的制造成本高于传统的硅晶太阳电池。（）

试题 28 [判断题] 共价键的方向性是指原子只能在特定的方向上形成共价键。（）

试题 29 [判断题] 非晶硅太阳电池的结构最常采用的是P-N结构。（）

试题 30 [判断题] 传统硅晶太阳电池的性能随温度升高而下降。（）

试题 31 [单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应（）。元素半导体

A．砷化镓

B．氧化物玻璃

C．硅

试题 32 [单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应（）。化合物半导体

A．砷化镓

B．氧化物玻璃

C．硅

试题 33 [单选题] 将下列半导体材料种类与代表材料对应（）。无定形半导体材料

A．砷化镓

B．氧化物玻璃

C．硅

试题 34 [单选题] 将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率对应（）。单晶硅

A．7～9%

B．15～17%

C．16～18%

试题 35 [单选题] 将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率对应（）。多晶硅

A．7～9%

B．15～17%

C．16～18%

试题 36 [单选题] 将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率对应（）。非晶硅

A．7～9%

B．15～17%

C．16～18%

试题 37 [单选题] 将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素对应（）。反射遮荫等光学损失

A．温度及衰减损失

B．逆变器等电器损耗

C．封装材料透光率

试题 38 [单选题] 将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素对应（）。载流子复合损失

A．温度及衰减损失

B．逆变器等电器损耗

C．封装材料透光率

试题 39 [单选题] 将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素对应（）。连接转换等电学损失

A．温度及衰减损失

B．逆变器等电器损耗

C．封装材料透光率

试题 40 [单选题] 将下列太阳电池种类对应（）。化合物晶体

A．砷化镓

B．染料敏化

C．铜铟镓硒

试题 41 [单选题] 将下列太阳电池种类对应（）。化合物薄膜

A．砷化镓

B．染料敏化

C．铜铟镓硒

试题 42 [单选题] 将下列太阳电池种类对应（）。有机染料

A．砷化镓

B．染料敏化

C．铜铟镓硒

试题 43 [单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应（）。单晶硅太阳电池

A．12%

B．20.4%

C．25%

试题 44 [单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应（）。多晶硅太阳电池

A．12%

B．20.4%

C．25%

试题 45 [单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应（）。非晶硅单结太阳电池

A．12%

B．20.4%

C．25%

试题 46 [单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应（）。禁带宽度

A．反映材料的导电能力

B．反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C．反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

试题 47 [单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应（）。电阻率、载流子迁移率

A．反映材料的导电能力

B．反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C．反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

试题 48 [单选题] 将下列半导体材料的特性参数与其性质对应（）。非平衡载流子寿命

A．反映材料的导电能力

B．反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C．反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

试题 49 [单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应（）。1958年

A．硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B．把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C．把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引入到电池的制造工艺中

试题 50 [单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应（）。20世纪70年代初

A．硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B．把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C．把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引入到电池的制造工艺中

试题 51 [单选题] 将下列硅太阳电池发展历程对应（）。20世纪80年代初

A．硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B．把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C．把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引入到电池的制造工艺中

试题 52 [单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应（）。多晶硅

A．11.83%

B．12%

C．20.4%

试题 53 [单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应（）。非晶硅单结

A．11.83%

B．12%

C．20.4%

试题 54 [单选题] 将下列太阳电池种类与实验室最大效率对应（）。非晶硅多结

A．11.83%

B．12%

C．20.4%

试题 55 [单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应（）。断线

A．切割工艺出现异常

B．硅棒对接位置不好

C．加工好的硅片在空气中停留时间过长

试题 56 [单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应（）。跳线

A．切割工艺出现异常

B．硅棒对接位置不好

C．加工好的硅片在空气中停留时间过长

试题 57 [单选题] 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因对应（）。花片

A．切割工艺出现异常

B．硅棒对接位置不好

C．加工好的硅片在空气中停留时间过长

试题 58 [单选题] 将下列新型太阳电池的名称及其主要特性描述对应（）。PREL

A．埋栅

B．高效背表面反射器

C．发射极钝化及背面局部扩散

试题 59 [单选题] 将下列新型太阳电池的名称及其主要特性描述对应（）。BCSC

A．埋栅

B．高效背表面反射器

C．发射极钝化及背面局部扩散

试题 60 [单选题] 将下列新型太阳电池的名称及其主要特性描述对应（）。BSR

A．埋栅

B．高效背表面反射器

C．发射极钝化及背面局部扩散

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